企业介绍
我司专注于新型功率半导体器件的研发与制造,在IGBT、MOSFET等核心领域深耕不辍。产品在细分领域占有率14%左右。
针对国外对功率芯片核心技术封锁的问题,我司研发了第七代MPT7沟槽栅FS IGBT技术,目前该技术运用在新能源汽车主驱,具备更高功率密度、更高工作结温(175℃)、更低工作损耗及高可靠性等特点,该产品相关技术指标已与同类型国际大厂英飞凌的最新一代IGBT7产品相当,在新能源汽车产业链关键领域打破了功率模块依赖进口的局面,取代了英飞凌、富士等国际龙头企业在国内市场的垄断,填补了新能源汽车国内自主可控的功率芯片模组全产业链空白,实现国产优质替代。