研发能力及创新点： 1）研发第三代超级结MOSFET产品，使其拥有更高的功率密度，更好的耐压一致性以及更低的损耗，以达到更高的电源输出效率。 2）已开始研发第二代屏蔽栅工艺MOSFET，突破国内30V大电流分离栅量产的技术瓶颈并在今年四季度实现量产。 3）已开始进军国内空白的车规级MOSFET领域，通过严格的可靠性考核验证及规范的车规级体系管控，预计今年四季度完成车规级AEC-Q101认证。 4）立项开发先进工艺的IGBT产品及IPM模块，同时计划布局第三代半导体碳化硅、氮化镓MOS产品及射频LDMOS领域，为更好地拓宽MOSFET的频率、功率等工作范围及可靠性投入持续研发。