聚焦SiC外延装备，拟建立以中国为基地，世界领先的第三代半导体及泛半导体关键技术和高端装备的研发和产业化平台，旨在实现第三代半导体SiC外延设备的国产化，突破国外公司的长期技术垄断局面，实现国产替代。公司主营产品为基于超高温CVD技术的垂直进气碳化硅外延设备系列，该产品系列由单腔单片6英寸、双腔单片6英寸、单腔单片8英寸、双腔单片8英寸等不同产品组成，用于6/8英寸碳化硅同质外延生长。公司将工艺和设备紧密结合研发的SiC-CVD设备通过温场控制、流场控制等方面的设计，在高产能、6/8英寸兼容、COO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率、维护便利性和可靠性等方面都具有明显的优势。