无锡市谷峰半导体有限公司

所属行业：电子

单位性质：企业

联 系 人：汪玉洁

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所在地市：江苏省,无锡市,滨湖区

企业介绍
1.Multi-EPl SJ MOSFET多层外延超结场效应管,打破了传统平面VDMOS的硅极限,使得导通电阻与击穿电压的关系得到了极大的改进，由传统的2.5次方变为线性关系，极大的优化了器件的品质因数FOM，具有更低的开关损耗，更优的转换效率。 2.SGT Trcnch Mosfet采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽技术，结构具有电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布，在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压。