企业介绍
1、采用的RP EC Remote plasma Etch) 技术, 能解决ICP和ccp中的ION产生Damage的 问题, 改善表面的粗糙度, 提高申气特性;
2、采用等向性蚀刻工艺, 对沟槽/Ion damdge 1ay er层采用soft Bt ch的模式去除。
3、采用远程等离子体发生的方式, 在wafer的表面不会形成电子温度。
4、采用双Nozzle模式, 控制wafer表面的气流分布, 可将wafer表面的uniformity控 制在3%左右, wafer表面的粗糙改善可以做到Ra2nm以下, 大大提高电气特性。