企业介绍
公司一家成立于2018年的国家高新技术企业,通过了ISO9001和OHSAS18001、ISO14001。公司主营VDMOS产品,并拥有多项自主知识产权。
公司通过设计具有特殊厚度的栅氧化工艺,将现有厚度降低50%以上,同时增加栅氧化质量,可以获得1.5V开启电压的特性,降低前段应用电路的驱动需求,降低功耗。
公司通过技术创新,引入侧墙结构进行二次P+注入,通过离子注入能量和退火合理控制P+的峰值浓度所处位置和P+结深,减小寄生晶闸管npn基区横向电阻,避免np结压降大于0.7V,发生误导通,提高产品的抗闩锁能力。