企业介绍
1、利用相对成熟的线宽制程达到了低导通电阻比(高功率密度),并且在可靠性上以车规级标准进行设计,达到了性价比、性能、可靠性三方的均衡;
2、设计新型场效应晶体管没有栅氧介质层,解决了SiC MOSFET的栅氧高温可靠性问题,可在高温工作,实现高低压器件的集成,可用于高温集电路和高温功率集成电路;
3、晶体管采用三维对称结构,场效应晶体管为高压P型碳化硅功率场效应晶体管,SiC MOSFET沟道迁移率大大增加,比导通电阻大大降低。
公司现有授权发明专利2项、集成电路3项,实用新型专利17件,软件著作权12项,多项知识产权积极申请中。